BCV26
Symbol Micros:
TBCV26 NXP
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; Bipolar; 10V; 250mW; 40V; 500mA; 10000; 220MHz; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 10V; 250mW; 40V; 500mA; 10000; 220MHz; -55°C~150°C;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Grenzfrequenz: | 220MHz |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Grenzfrequenz: | 220MHz |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole