BCV27
Symbol Micros:
TBCV27 ONS
Gehäuse: SOT23
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
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Parameter
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 220MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
Hersteller: | ONSEMI |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,2A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2300 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2067 | 0,0982 | 0,0552 | 0,0420 | 0,0376 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BCV27
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0376 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BCV27
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0376 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BCV27
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0376 |
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 220MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
Hersteller: | ONSEMI |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,2A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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