BCV27
Symbol Micros:
TBCV27 ONS
Gehäuse: SOT23
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Grenzfrequenz: | 220MHz |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2300 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1925 | 0,0914 | 0,0516 | 0,0391 | 0,0350 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BCV27
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
291000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0350 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BCV27
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
13700 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0437 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Grenzfrequenz: | 220MHz |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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