BCV27

Symbol Micros: TBCV27 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3

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Parameter
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 220MHz
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2067 0,0982 0,0552 0,0420 0,0376
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BCV27 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0376
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BCV27 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0376
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BCV27 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0376
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 220MHz
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN