BCV46,215

Symbol Micros: TBCV46
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 10000; 250mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C~150°C; Transistor PNP; 10000; 250mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV46,215 RoHS FE. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2186 0,1196 0,0785 0,0709 0,0625
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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