BCV46E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCV46 INF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 10000; 360mW; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C~150°C; Transistor PNP; 10000; 360mW; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C~150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 360mW
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV46E6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
19 stk.
Anzahl Stück 5+ 19+
Nettopreis (EUR) 0,2453 0,0547
Standard-Verpackung:
19
Verlustleistung: 360mW
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP