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BCV47 smd BCV47TA BCV47E6327HTSA1 BCV47E6327XT

Symbol Micros: TBCV47

Gehäuse: SOT23

darl.NPN 0,5A 60V 200mW 200MHz darl.NPN 0,5A 60V 200mW 200MHz

Parameter

Verlustleistung:	360mW
Grenzfrequenz:	170MHz
Stromverstärkungsfaktor:	10000
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

4020 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2165	0,1028	0,0579	0,0438	0,0394

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

99237 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0440

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

72001 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0450

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

30600 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0492

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-10-30

Anzahl Stück: 6000

Verlustleistung:	360mW
Grenzfrequenz:	170MHz
Stromverstärkungsfaktor:	10000
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1612	0,0644	0,0375	0,0312	0,0293