BCV49
Symbol Micros:
TBCV49
Gehäuse: SOT89
darl.NPN 500mA 60V 1W 170MHz darl.NPN 500mA 60V 1W 170MHz
Parameter
Verlustleistung: | 1W |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT89 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCV49H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3842 | 0,2117 | 0,1665 | 0,1541 | 0,1479 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BCV49TA RoHS
Gehäuse: SOT89 t/r
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3842 | 0,2117 | 0,1665 | 0,1541 | 0,1479 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BCV49,115
Gehäuse: SOT89
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1479 |
Verlustleistung: | 1W |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT89 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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