BCV49TA DIODES

Symbol Micros: TBCV49TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor NPN - Darlington; 60V; 10V; 170MHz; 500mA; 1,5W; -55°C~150°C; Transistor NPN - Darlington; 60V; 10V; 170MHz; 500mA; 1,5W; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,5W
Grenzfrequenz: 170MHz
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCV49TA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2592 0,1421 0,0931 0,0804 0,0742
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,5W
Grenzfrequenz: 170MHz
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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