BCW60D

Symbol Micros: TBCW60d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 100mA 32V 250mW 250MHz NPN 100mA 32V 250mW 250MHz

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Parameter
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 630
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 250MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW 60D E6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0914 0,0361 0,0210 0,0154 0,0141
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 630
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 250MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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