BCW66G smd

Symbol Micros: TBCW66g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 800mA 45V 330mW 170MHz hfe160min (100mA) NPN 800mA 45V 330mW 170MHz hfe160min (100mA)
Parameter
Verlustleistung: 225mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: CDIL
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: TBCW66G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1034 0,0407 0,0238 0,0174 0,0159
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 225mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: CDIL
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN