BCW66H INFINEON

Symbol Micros: TBCW66h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 800mA 45V 330mW 100MHz-170MHz hfe160min (100mA) NPN 800mA 45V 330mW 100MHz-170MHz hfe160min (100mA)
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 630
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW66H Pbf EH. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1397 0,0661 0,0370 0,0279 0,0254
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCW66HTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
120000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0510
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCW66HTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0537
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 630
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN