BCW67B

Symbol Micros: TBCW67b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 800mA 32V 330mW 200MHz PNP 800mA 32V 330mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW67BE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1076 0,0494 0,0268 0,0201 0,0179
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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