BCW68G

Symbol Micros: TBCW68g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 800mA 45V 225mW 100MHz PNP 800mA 45V 225mW 100MHz

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Parameter
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW68GE6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2665 0,1412 0,1094 0,1010 0,0968
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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