BCX42 smd
Symbol Micros:
TBCX42
Gehäuse: SOT23
PNP 800mA 125V 330mW 150MHz PNP 800mA 125V 330mW 150MHz
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Parameter
Verlustleistung: | 330mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 63 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 125V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCX42E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6265 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2560 | 0,1409 | 0,0937 | 0,0782 | 0,0728 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCX42E6327 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2560 | 0,1409 | 0,0937 | 0,0782 | 0,0728 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCX42E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
8900 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0737 |
Verlustleistung: | 330mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 63 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 125V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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