BCX42 smd

Symbol Micros: TBCX42
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 800mA 125V 330mW 150MHz PNP 800mA 125V 330mW 150MHz

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Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 63
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCX42E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6265 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2560 0,1409 0,0937 0,0782 0,0728
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCX42E6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2560 0,1409 0,0937 0,0782 0,0728
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCX42E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
8900 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0737
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 63
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP