BCX42 smd

Symbol Micros: TBCX42
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 800mA 125V 330mW 150MHz PNP 800mA 125V 330mW 150MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 63
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCX42E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2610 0,1445 0,0960 0,0802 0,0746
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 63
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP