BCX5316TA

Symbol Micros: TBCX5316TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Transistor GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX5316TA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3230 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2359 0,1182 0,0703 0,0584 0,0524
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX5316TA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2359 0,1182 0,0703 0,0584 0,0524
Standard-Verpackung:
300
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX5316TA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2359 0,1182 0,0703 0,0584 0,0524
Standard-Verpackung:
483
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP