BCX5610TA

Symbol Micros: TBCX5610TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 63
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX5610TA RoHS .BK Gehäuse: SOT89 t/r  
Auf Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2603 0,1299 0,0774 0,0641 0,0576
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX5610TA Gehäuse: SOT89  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0585
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 63
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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