BD13716STU

Name: TBD13716stu TBD13716stu
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TBD13716stu
Price: 0.3091 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBD13716stu

Gehäuse: TO126

Transistor GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Transistor GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126

Parameter

Verlustleistung:	1,25W
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD13716STU RoHS Gehäuse: TO126

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	60+	180+	900+
Nettopreis (EUR)	0,7111	0,4508	0,3486	0,3253	0,3091

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD13716STU RoHS Gehäuse: TO126

Auf Lager:

180 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	60+	180+	900+
Nettopreis (EUR)	0,7111	0,4508	0,3486	0,3253	0,3091

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD13716STU Gehäuse: TO126

Externes Lager:

4155 stk.

Anzahl Stück	1920+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3091

Verlustleistung:	1,25W
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN