BD13716STU
Symbol Micros:
TBD13716stu
Gehäuse: TO126
Transistor GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Transistor GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
Parameter
Verlustleistung: | 1,25W |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO126 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,5A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BD13716STU RoHS
Gehäuse: TO126
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 60+ | 180+ | 900+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7132 | 0,4522 | 0,3496 | 0,3263 | 0,3100 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BD13716STU RoHS
Gehäuse: TO126
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 60+ | 180+ | 900+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7132 | 0,4522 | 0,3496 | 0,3263 | 0,3100 |
Verlustleistung: | 1,25W |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO126 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,5A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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