BD139-10

Symbol Micros: TBD13910 STM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT32
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Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 12,5W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: SOT32
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139-10 RoHS Gehäuse: SOT32 Datenblatt
Auf Lager:
700 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 700+
Nettopreis (EUR) 0,3085 0,2017 0,1439 0,1257 0,1188
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Standard-Verpackung:
50/700
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139-10 Gehäuse: SOT32  
Externes Lager:
16800 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,1188
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139-10 Gehäuse: SOT32  
Externes Lager:
22286 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,1188
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 12,5W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: SOT32
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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