BD140-16

Symbol Micros: TBD14016 c

Gehäuse: TO126

Transistor: PNP; Bipolar; 80V; 1,5A; 12,5W; TO126 Transistor: PNP; Bipolar; 80V; 1,5A; 12,5W; TO126

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Parameter

Verlustleistung:	1,25W
Grenzfrequenz:	1MHz
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Verlustleistung:	1,25W
Grenzfrequenz:	1MHz
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP