BD537 TO220
Symbol Micros:
TBD537
Gehäuse: TO220
NPN; 20; 50W; 80V; 8A; 12MHz; -65°C ~ 150°C; NPN; 20; 50W; 80V; 8A; 12MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 50W |
| Grenzfrequenz: | 12MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 20 |
| Hersteller: | Inchange Semiconductors |
| Gehäuse: | TO220 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Verlustleistung: | 50W |
| Grenzfrequenz: | 12MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 20 |
| Hersteller: | Inchange Semiconductors |
| Gehäuse: | TO220 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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