BD679

Symbol Micros: TBD679 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BD679 RoHS Gehäuse: TO126  
Auf Lager:
550 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3323 0,1837 0,1444 0,1308 0,1282
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500/1000
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole