BD679
Symbol Micros:
TBD679 c
Gehäuse: TO126
darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz
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Parameter
| Verlustleistung: | 40W |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gehäuse: | TO126 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: BD679 RoHS
Gehäuse: TO126
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3267 | 0,1806 | 0,1419 | 0,1286 | 0,1261 |
| Verlustleistung: | 40W |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gehäuse: | TO126 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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