BD679A

Symbol Micros: TBD679a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz

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Parameter
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: BD679A RoHS Gehäuse: TO126  
Auf Lager:
483 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5100 0,3078 0,2343 0,2116 0,2042
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679A RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5100 0,3078 0,2343 0,2116 0,2042
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Standard-Verpackung:
50/500
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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