BD680 JSMICRO

Symbol Micros: TBD680 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Transistor Darlington PNP; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD680-ST; BD680G;

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Parameter
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2889 0,1851 0,1299 0,1128 0,1055
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2889 0,1539 0,1193 0,1102 0,1055
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP

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