BD680 JSMICRO
Symbol Micros:
TBD680 JSM
Gehäuse: TO126
PNP Darlington-Transistor; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD680-ST; BD680G;
Parameter
| Verlustleistung: | 40W |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Gehäuse: | TO126 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS
Gehäuse: TO126bulk
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3021 | 0,1924 | 0,1350 | 0,1174 | 0,1097 |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS
Gehäuse: TO126bulk
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2858 | 0,1522 | 0,1180 | 0,1090 | 0,1043 |
| Verlustleistung: | 40W |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Gehäuse: | TO126 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | Darlington PNP |
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