BD682 SGS
Symbol Micros:
TBD682sgs
Gehäuse: TO126
darl.PNP 4A 100V 40W 1MHz darl.PNP 4A 100V 40W 1MHz
Parameter
Verlustleistung: | 40W |
Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Gehäuse: | TO126 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4648 | 0,2812 | 0,2159 | 0,1950 | 0,1854 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD682
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
970 stk.
Anzahl Stück | 850+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1854 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD682
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
106200 stk.
Anzahl Stück | 900+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1854 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD682
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
145685 stk.
Anzahl Stück | 850+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1854 |
Verlustleistung: | 40W |
Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Gehäuse: | TO126 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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