BD682 SGS

Symbol Micros: TBD682sgs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
darl.PNP 4A 100V 40W 1MHz darl.PNP 4A 100V 40W 1MHz
Parameter
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD682 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
850 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4648 0,2812 0,2159 0,1950 0,1854
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD682 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
970 stk.
Anzahl Stück 850+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1854
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD682 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
106200 stk.
Anzahl Stück 900+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1854
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD682 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
145685 stk.
Anzahl Stück 850+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1854
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP