BD911 JSMICRO

Symbol Micros: TBD911 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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NPN-Transistor; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 90W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 90W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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