BDP948H6327XTSA1 INFINEON

Symbol Micros: TBDP948

Gehäuse: SOT223-4

Transistor GP BJT PNP 45V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Transistor GP BJT PNP 45V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Parameter

Verlustleistung:	5W
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	475
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT223-4
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Verlustleistung:	5W
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	475
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT223-4
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP