BDP949 INFINEON

Symbol Micros: TBDP949
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor GP BJT NPN 60V 3A 5000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Transistor GP BJT NPN 60V 3A 5000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Parameter
Verlustleistung: 5W
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP949H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
9700 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3252
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 5W
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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