BDP950H6327 PG-SOT223-4-24 INFINEON

Symbol Micros: TBDP950
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-4
Transistor GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 5W
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT223-4
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 5W
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT223-4
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP