BDP950H6327 PG-SOT223-4-24 INFINEON
Symbol Micros:
TBDP950
Gehäuse: SOT223-4
Transistor GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
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Parameter
| Verlustleistung: | 5W |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT223-4 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BDP950H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223-4
Externes Lager:
7500 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3233 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BDP950H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223-4
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2681 |
| Verlustleistung: | 5W |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT223-4 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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