BDP953H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBDP953
Gehäuse: SOT223
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT;
Parameter
Verlustleistung: | 5W |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 15 |
Hersteller: | INFINEON |
Gehäuse: | SOT223 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BDP953H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9086 | 0,5693 | 0,4741 | 0,4206 | 0,3950 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BDP953H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
7200 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3950 |
Verlustleistung: | 5W |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 15 |
Hersteller: | INFINEON |
Gehäuse: | SOT223 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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