BDW42G

Symbol Micros: TBDW42g

Gehäuse: TO220

Transistor Darlington NPN 100V 15A 85000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Transistor Darlington NPN 100V 15A 85000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Parameter

Verlustleistung:	85W
Grenzfrequenz:	4MHz
Stromverstärkungsfaktor:	1000
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Verlustleistung:	85W
Grenzfrequenz:	4MHz
Stromverstärkungsfaktor:	1000
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN