BDX33B
Symbol Micros:
TBDX33b
Gehäuse: TO220
Darl.NPN 10A 80V 80W 20MHz Darl.NPN 10A 80V 80W 20MHz
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Parameter
| Verlustleistung: | 2W |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Hersteller: | Power Innovations |
| Gehäuse: | TO220 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 10A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: Power Innovations
Hersteller-Teilenummer: BDX33B
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 9+ | 27+ | 81+ |
|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4040 | 0,2584 | 0,1889 | 0,1550 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BDX33BG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1100 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4273 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BDX33BG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
543 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4059 |
| Verlustleistung: | 2W |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Hersteller: | Power Innovations |
| Gehäuse: | TO220 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 10A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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