BDX33B

Symbol Micros: TBDX33b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Darl.NPN 10A 80V 80W 20MHz Darl.NPN 10A 80V 80W 20MHz
Parameter
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: Power Innovations
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: Power Innovations Hersteller-Teilenummer: BDX33B Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 3+ 9+ 27+ 81+
Nettopreis (EUR) 0,4056 0,2594 0,1896 0,1556
Standard-Verpackung:
81
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BDX33BG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4206
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: Power Innovations
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN