BDX53C

Symbol Micros: TBDX53c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Darl.NPN 8A 100V 60W Darl.NPN 8A 100V 60W

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Parameter
Verlustleistung: 60W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BDX53C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6449 0,4089 0,3225 0,2944 0,2804
Standard-Verpackung:
50/1000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-07-31
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 60W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN