BDX53CG ONS

Symbol Micros: TBDX53cg ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor NPN; Bipolar; 750; 100V; 5V; 8A; 65W; -65°C~150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 65W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BDX53CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0321 0,7582 0,6085 0,5219 0,4915
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BDX53CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4915
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BDX53CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
347 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4915
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 65W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

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