Tranz. BF1202WR

Symbol Micros: TBF1202wr
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT343R
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Dual channel PoLo N-Fet 10V 30mA 200mW 800MHz

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Parameter
Max. Drainstrom: 30mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT343R
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 10V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: Philips Hersteller-Teilenummer: BR1202WR 115 RoHS Gehäuse: SOT343R  
Auf Lager:
69 stk.
Anzahl Stück 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
Nettopreis (EUR) 0,3201 0,1888 0,1451 0,1285 0,1229
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Standard-Verpackung:
69
Max. Drainstrom: 30mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT343R
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 10V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Montage: SMD

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