BFN24  Infineon

Symbol Micros: TBFN24
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT NPN 250V 0.2A Automotive Transistor GP BJT NPN 250V 0.2A Automotive
Parameter
Verlustleistung: 360mW
Grenzfrequenz: 70MHz
Stromverstärkungsfaktor: 40
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFN24E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1375 0,0631 0,0343 0,0257 0,0229
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 360mW
Grenzfrequenz: 70MHz
Stromverstärkungsfaktor: 40
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN