BFR182WH6327XTSA1

Symbol Micros: TBFR182w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Transistor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Ersatz: BFR182WH6327;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 8GHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 35mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR182WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2200 0,1217 0,0808 0,0675 0,0628
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR182WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
72000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0628
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR182WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0628
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 8GHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 35mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN