BFR182WH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBFR182w
Gehäuse: SOT323
Transistor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Ersatz: BFR182WH6327;
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 8GHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | INFINEON |
Gehäuse: | SOT323 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 35mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 12V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR182WH6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2980 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2200 | 0,1217 | 0,0808 | 0,0675 | 0,0628 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR182WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
72000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0628 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR182WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0628 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 8GHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | INFINEON |
Gehäuse: | SOT323 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 35mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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