BFU530AR

Symbol Micros: TBFU530ar
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3
Transistor RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB Transistor RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB
Parameter
Verlustleistung: 450mW
Grenzfrequenz: 11GHz
Stromverstärkungsfaktor: 200
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 65mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 16V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BFU530AR RoHS Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3 Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3876 0,2144 0,1693 0,1537 0,1488
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BFU530AR Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2239
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BFU530AR Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2531
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 450mW
Grenzfrequenz: 11GHz
Stromverstärkungsfaktor: 200
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 65mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN