BGN40Q120SD BYD

Name: TBGN40q120 TBGN40q120
Brand: BYD
SKU: TBGN40q120
Price: 2.5815 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBGN40q120

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0 V ~ 7,0 V; 142 nC; -40°C~175°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	142nC
Maximale Verlustleistung:	428W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	BYD

Hersteller: BYD Hersteller-Teilenummer: BGN40Q120 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	3,3567	2,9808	2,7577	2,6449	2,5815

Gate-Ladung:	142nC
Maximale Verlustleistung:	428W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	BYD
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT