BGN40Q120SD BYD
Symbol Micros:
TBGN40q120
Gehäuse:
IGBT-Transistor; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0 V ~ 7,0 V; 142 nC; -40°C~175°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 142nC |
| Maximale Verlustleistung: | 428W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | BYD |
| Gate-Ladung: | 142nC |
| Maximale Verlustleistung: | 428W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | BYD |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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