BM3415E SOT23 BORN

Symbol Micros: TBM3415e BORN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: BM3415E RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
280 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,1941 0,0973 0,0579 0,0480 0,0431
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD

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