BS107P DIODES

Symbol Micros: TBS107
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 120mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS107P RoHS Gehäuse: TO92 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8301 0,5253 0,4150 0,3775 0,3611
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS107P RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8301 0,5253 0,4150 0,3775 0,3611
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS107P Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
7891 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3611
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 120mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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