BS107P DIODES
Symbol Micros:
TBS107
Gehäuse: TO92
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 30Ohm |
Max. Drainstrom: | 120mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BS107P RoHS
Gehäuse: TO92
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8348 | 0,5283 | 0,4174 | 0,3797 | 0,3632 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BS107P RoHS
Gehäuse: TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8348 | 0,5283 | 0,4174 | 0,3797 | 0,3632 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BS107P
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
7891 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3632 |
Widerstand im offenen Kanal: | 30Ohm |
Max. Drainstrom: | 120mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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