BS170FTA smd

Symbol Micros: TBS170sot23
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15 mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 0,15mA
Maximaler Leistungsverlust: 330mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS170FTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
565 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4971 0,3001 0,2317 0,2089 0,1988
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Standard-Verpackung:
2403
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 0,15mA
Maximaler Leistungsverlust: 330mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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