BS250

Symbol Micros: TBS250
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92formed
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P-MOSFET 90mA 45V 830mW BS250KL, BS250P
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92formed
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 45V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250P RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8641 0,5471 0,4321 0,3945 0,3757
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92formed
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 45V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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