BSC014N03MS INFINEON

Symbol Micros: TBSC014n03ms

Gehäuse: TDSON-8

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 1,75 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC014N03MSGATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,75mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	139W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	1,75mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	139W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD