BSC016N04LS G

Symbol Micros: TBSC016n04ls
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC016N04LSGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N04LSGATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
38 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5870 1,2123 1,0029 0,8796 0,8354
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,3mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole