BSC016N06NS

Name: TBSC016n06ns TBSC016n06ns
Brand: Infineon
SKU: TBSC016n06ns
Price: 1.7235 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSC016n06ns

Gehäuse: TDSON08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,9mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	139W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NS RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt

Auf Lager:

44 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,5864	2,0518	1,8548	1,7540	1,7235

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Gehäuse: TDSON08

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7235

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Gehäuse: TDSON08

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7235

Widerstand im offenen Kanal:	2,9mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	139W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD