BSC016N06NS

Symbol Micros: TBSC016n06ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NS RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
64 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,5666 2,0361 1,8406 1,7405 1,7103
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7103
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7103
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD