BSC016N06NS
Symbol Micros:
TBSC016n06ns
Gehäuse: TDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2,9mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 139W |
Gehäuse: | TDSON08 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NS RoHS
Gehäuse: TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
64 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5666 | 2,0361 | 1,8406 | 1,7405 | 1,7103 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7103 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7103 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2,9mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 139W |
Gehäuse: | TDSON08 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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