BSC019N04NSGATMA1
Symbol Micros:
TBSC019n04ns
Gehäuse: TDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,9mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TDSON08 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC019N04NSGATMA1 RoHS
Gehäuse: TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,7050 | 2,0777 | 1,8466 | 1,7287 | 1,6909 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC019N04NSGATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6909 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,9mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TDSON08 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole