BSC019N04NSGATMA1

Name: TBSC019n04ns TBSC019n04ns
Brand: Infineon
SKU: TBSC019n04ns
Price: 1.6813 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSC019n04ns

Gehäuse: TDSON08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,9mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC019N04NSGATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,6896	2,0658	1,8360	1,7188	1,6813

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC019N04NSGATMA1 Gehäuse: TDSON08

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6813

Widerstand im offenen Kanal:	1,9mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD