BSC027N04LSG
Symbol Micros:
TBSC027n04lsg
Gehäuse: TDSON-8
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
Gehäuse: | TDSON-8 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
Gehäuse: | TDSON-8 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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