BSC027N04LSG

Symbol Micros: TBSC027n04lsg
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON-8
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,1mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC027N04LSG RoHS Gehäuse: TDSON-8 Datenblatt
Auf Lager:
81 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0648 0,7076 0,5861 0,5278 0,5067
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4,1mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD