BSC027N04LSG

Symbol Micros: TBSC027n04lsg
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON-8
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,1mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC027N04LSG RoHS Gehäuse: TDSON-8 Datenblatt
Auf Lager:
81 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0912 0,7251 0,6006 0,5408 0,5193
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC027N04LSGATMA1 Gehäuse: TDSON-8  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5193
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC027N04LSGATMA1 Gehäuse: TDSON-8  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5193
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,1mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD