BSC060N10NS3 G

Symbol Micros: TBSC060n10ns3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 11,5 mOhm; 90A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC060N10NS3GATMA1; BSC060N10NS3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC060N10NS3GATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
170000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6253
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole