BSC060P03NS3E

Symbol Micros: TBSC060p03ns3e

Gehäuse: TDSON-8

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,6 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC060P03NS3EGATMA1;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,6mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	9,6mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD