BSC060P03NS3E
Symbol Micros:
TBSC060p03ns3e
Gehäuse: TDSON-8
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,6 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC060P03NS3EGATMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TDSON-8 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC060P03NS3EGATMA1
Gehäuse: TDSON-8
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3234 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TDSON-8 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole