BSC070N10NS3 G

Name: TBSC070n10ns3 TBSC070n10ns3
Brand: Infineon
SKU: TBSC070n10ns3
Price: 1.2924 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSC070n10ns3

Gehäuse: TDSON-8

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC070N10NS3GATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	90A
Maximaler Leistungsverlust:	114W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC070N10NS3G RoHS Gehäuse: TDSON-8 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,9385	1,6272	1,4457	1,3348	1,2924

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC070N10NS3GATMA1 Gehäuse: TDSON-8

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2924

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	90A
Maximaler Leistungsverlust:	114W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD