BSC076N06NS3 G
Symbol Micros:
TBSC076n06ns3
Gehäuse: TDSON08
N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0076Ω BSC076N06NS3GATMA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69W |
| Gehäuse: | TDFN08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3GATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
330000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2024 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3GATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
95000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2635 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69W |
| Gehäuse: | TDFN08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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